Vzaimodeistvie izlucheniya s veshestvom
VZAIMODE'STVIE IZLUChENIYa S VEShESTVOM - svoditsya k sovokupnosti elementarnyh processov rasseyaniya (uprugogo i neuprugogo), poglosheniya i generacii el.-magn. izlucheniya. Nizhe rassmatrivayutsya v osnovnom processy, privodyashie k oslableniyu izlucheniya (o generacii izlucheniya sm., napr.. Lineichatoe izluchenie, Neteplovoe izluchenie, Mazernyi effekt, Tormoznoe izluchenie). Potok izlucheniya s chastotoi v, prohodyashii cherez sloi veshestva, oslablyaetsya iz-za poglosheniya, uprugogo rasseyaniya vbok i iz-za neuprugogo rasseyaniya. V sluchae optich. izlucheniya takoe oslablenie naz. ekstinkciei.
Vzaimodeistvie (kak otdel'nye elementarnye processy, tak i lyubaya ih kombinaciya) fotona s rasseivayushei ili pogloshayushei chasticei harakterizuetsya effektivnym poperechnym secheniem (EPS) s. Ego mozhno opredelit' kak otnoshenie veroyatnosti vzaimodeistviya na edinice puti dP/dx k koncentracii N chastic, s k-rymi proishodit vzaimodeistvie:
EPS zavisit ot sostoyaniya fotonov i chastic do i posle vzaimodeistviya. Razlichayut differencial'noe EPS, opredelyaemoe veroyatnost'yu takogo vzaimodeistviya, pri k-rom foton i chastica iz fiksirovannyh nachal'nyh sostoyanii perehodyat v opredelennye konechnye sostoyaniya, i polnoe, ili integral'noe, EPS - rezul'tat integrirovaniya differencial'nogo EPS po vsem konechnym sostoyaniyam. Polnoe EPS imeet razmernost' ploshadi (sm2).
Oslablenie izlucheniya mozhno harakterizovat' koeff. oslableniya intensivnosti izlucheniya m (ego chasto naz. takzhe koeff. poglosheniya); m vyrazhaetsya cherez EPS poglosheniya spogl i EPS rasseyaniya srass: m = N (spogl + srass), pli, esli izluchenie vzaimodeistvuet s razlichnymi sortami (i) chastic s koncentraciyami Ni, to
gde sipogl i sirass - sootvetstvuyushie EPS dlya kazhdogo sorta chastic. Oslablenie intensivnosti I izlucheniya, proshedshego sloi veshestva tolshinoi l, opisyvaetsya vyrazheniem:
I(l) = I0 e -t(l) ,
gde I0 - intensivnost' vhodyashego v sloi izlucheniya. Bezrazmernaya velichina
naz. opticheskoi tolshei sloya. Chasto m i t vvodyat otdel'no dlya kazhdogo processa vzaimodeistviya.
Osn. processami V. i. s v. v kosmich. usloviyah yavlyayutsya: ekstinkciya sveta na pylinkah, pogloshenie i rasseyanie v liniyah, fotopogloshenie, tormoznoe pogloshenie, komptonovskoe i tomsonovskoe rasseyanie, rozhdenie par, pogloshenie fotonov yadrami.
Ekstinkciya sveta na kosmicheskih pylinkah privodit k oslableniyu bleska i k izmeneniyu spektra zvezd - mezhzvezdnomu pokrasneniyu (sm. takzhe Mezhzvezdnoe pogloshenie sveta). Pokrasnenie proishodit iz-za usileniya ekstinkcii s umen'sheniem dliny volny. Naryadu s EPS ekstinkciyu chasto harakterizuyut faktorom effektivnosti rasseyaniya Qpacc i faktorom effektivnosti poglosheniya Qpogl (otnosheniya sootvetstvuyushih EPS k geometrich. secheniyu sferich. chasticy). V sluchae, kogda dlina volny izlucheniya l >> 2pma (a - razmer pylinki, m - pokazatel' prelomleniya veshestva pylinki),
Takoe rasseyanie naz. releevskim. Releevskoe rasseyanie mozhet proishodit' takzhe na molekulah i atomah. Esli pomimo rasseyaniya proishodit takzhe pogloshenie izlucheniya (pokazatel' m kompleksnyi), vvoditsya faktor
gde Im oboznachaet mnimuyu chast'. Kak vidno iz privedennyh formul, pri dostatochno bol'shih l pogloshenie preobladaet nad rasseyaniem (Qpogl >> Qrass).
Pogloshenie i rasseyanie v liniyah proishodit vsledstvie perehodov elektronov v atomah s odnogo urovnya energii na drugoi (svyazanno-svyazannye perehody). Foton s chastotoi vkq pogloshaetsya pri perehode elektrona s nizhnego atomnogo urovnya energii q, sootvetstvuyushego energii eq, na verhnii uroven' k, sootvetstvuyushii energii ek, ek - eq = hvkq. EPS poglosheniya (oslableniya) v linii zavisit ot sily oscillyatora dannogo perehoda fkq (sm. Krivaya rosta). Krome etogo, ono zavisit ot otnosheniya chisla atomov, u k-ryh na nizhnem urovne q est' elektron, a verhnii uroven' k svoboden, k polnomu chislu atomov, t. e. ot ih raspredeleniya po energiyam (sm., napr., Bol'cmana raspredelenie).
Vazhnoi harakteristikoi spektral'noi linii, ot k-roi zavisyat processy rasseyaniya i poglosheniya v linii, yavl. ee profil'. Profil' spektr. linii jkq i ego shirina na polovine vysoty DnL opredelyayutsya sootnosheniem mezhdu estestv. shirinoi linii n0=8p2e2n2kq/3mec32,5.10-22n2kq Gc, chastotoi stolknovenii nst i doplerovskim ushireniem linii Dndopl = nT.nkq/c (nT - teplovaya skorost' atomov, me i e - massa i zaryad elektrona). Obychno polagayut, chto . Shirina linii n0 opredelyaet harakternoe vremya zhizni atoma v vozbuzhdennom sostoyanii t0~n0-1. Esli n0 >> nst, to stolknoveniyami mozhno prenebrech' i osn. processom, opredelyayushim vzaimodeistvie lineichatogo izlucheniya s atomami, yavl. rasseyanie. Esli n0 << nst, za vremya t0 uspevaet proizoiti mnogo stolknovenii. V etom sluchae energiya pogloshaemogo fotona pereraspredelyaetsya mezhdu chasticami gaza i osn. processom vzaimodeistviya sleduet schitat' pogloshenie.
V usloviyah lokal'nogo termodinamicheskogo ravnovesiya predpolagaetsya vypolnennym uslovie n0 << nst. Pri etom koeff. poglosheniya izlucheniya s chastotoi n vblizi chastoty nkq:
gde T - temp-pa gaza, Nk- koncentraciya atomov s zaselennym urovnem k. Pri hnkq<<kT integral'nyi koeff. poglosheniya v linii ne zavisit ot Nk i opredelyaetsya koncentraciei atomov Nq s zaselennym nizhnim urovnem q:
Pogloshenie v linii igraet vazhnuyu rol' v formirovanii optich. spektrov zvezd. Napr., zvezdy spektral'nogo klassa A imeyut vodorodnye linii poglosheniya Na, Nb, Hg i dr., zvezdy klassa G - linii iona kal'ciya CaII i dr. Sravnivaya intensivnosti opredelennyh linii, mozhno opredelit' spektr. klass i, sledovatel'no, temp-ru zvezdy.
Fotopogloshenie proishodit pri svyazanno-svobodnyh perehodah, t. e. pri perehodah atomarnogo elektrona iz svyazannogo sostoyaniya v svobodnoe (yavlenie fotoeffekta ili fotononizacii, sm. Ionizaciya). Dlya fotoionizacii atoma s j-go urovnya energiya fotona hn dolzhna byt' bol'she ili ravna sootvetstvuyushei energii ionizacii ej). Vyletayushii elektron priobretaet pri etom energiyu ee = hn - ej. Energiya ionizacii atoma vodoroda iz osn. sostoyaniya (K-sloi, sm. v st. Urovni energii, razdel II, p. 2) ek 13,6 eV. Esli hn velika po sravneniyu s ek, to EPS fotoeffekta malo. S umen'sheniem hn EPS rastet snachala proporcional'no n -3, a po mere priblizheniya hn k ek - bystree, kak n -7/2. Pri hn < ek ionizaciya K-elektronov stanovitsya nevozmozhnoi, i EPS rezko umen'shaetsya. Posleduyushie skachki EPS proishodyat pri hn = eL, eM i t. d. (eL, eM - energii ionizacii sootvetstvenno iz L- i M-sloev).
EPS fotoeffekta (sfot) sil'no zavisit ot zaryada Ze yadra atoma. Dlya K-sloya mec2 >> hn >> ek (hn v eV):
pri
Vklad posleduyushih sloev (L, M i t. d.) otnositel'no mal: sfot(L)/sfot(K) 0,2 i sfot(M/sfot(K) 0,05 (hn > eK). Dlya scenki polnogo EPS fotoeffekta so vseh sloev v formulah dlya sfot(K) nuzhno vvesti dopolnit. mnozhitel' 1,25. EPS fotoionizacii vodorodopodobnyh ionov (yadro s zaryadom Ze i 1 elektron):
gde n - znachenie glavnogo kvantovogo chisla v ishodnom sostoyanii.
Pogloshenie za schet fotoionizacii v mezhzvezdnoi srede so standartnym him. sostavom udobno opisyvat' summarnym EPS, pereschitannym na atom vodoroda (sm. ris. 2 v st. Ionizaciya).
Tormoznoe pogloshenie svyazano s izmeneniem sostoyaniya svobodnyh elektronov (svobodno-svobodnye perehody). Uskoryayas' v pole iona, takoi elektron mozhet poglotit' ili izluchit' foton. Tormoznoe pogloshenie sushestvenno zavisit ot funkcii raspredeleniya elektronov i ionov, nalichiya magn. polya i pr. Dlya ravnovesnoi plazmy s temperaturoi T koefficient tormoznogo poglosheniya izlucheniya s chastotoi n:
gde Ne, Ni - koncentracii elektronov i ionov, mn - pokazatel' prelomleniya, g(n,T) -faktor Gaunta, priblizhenno ravnyi pri hn << kTe
pri T < 3,6.105Z2K;
pri T > 3,6.105Z2K.
Tri rassmotrennyh tipa perehodov (svyazanno-svyazannye, svyazanno-svobodnye i svobodno-svobodnye) mogut soprovozhdat'sya ne tol'ko poglosheniem, no i generaciei fotonov. V sootvetstvii s Kirhgofa zakonom izlucheniya izluchat. sposobnost' (moshnost' izlucheniya) edinichnogo ob'ema veshestva s temp-roi T v edinichnom telesnom ugle i v edinichnom intervale chastot opredelyaetsya vyrazheniem:
e(n) = mn2Bn(T) m(n),
gde Bn(T) - intensivnost' izlucheniya absolyutno chernogo tela v vakuume. Svobodno-svobodnye perehody otvetstvenny za nepreryvnoe izluchenie solnechnoi korony, zon NII (ionizovannogo vodoroda), planetarnyh tumannostei i t. p. S etim processom takzhe svyazyvayut izluchenie mnogih rentg. istochnikov.
Rasseyanie na svobodnom elektrone privodit k izmeneniyu energii i napravleniya rasprostraneniya fotona (sm. Komptonovskoe rasseyanie):
Zdes' n i n' - chastoty fotona do i posle rasseyaniya, q1 i q2 - ugly mezhdu skorost'yu elektrona ve i volnovymi vektorami k1 i k2 padayushego i rasseyannogo fotona, q - ugol mezhdu k1 i k2, ee - polnaya energiya elektrona. Pri rasseyanii na pokoyashemsya elektrone dlina volny izlucheniya uvelichivaetsya na lc(l - cosq). Postoyannaya velichina ls = h/(me.c) = 2,426.10-10sm 0,024 naz. komptonovskoi dlinoi volny elektrona.
Pri l >> lc izmeneniem energii fotona mozhno prenebrech'. V etom sluchae spravedlivo priblizhenie tomsonovskogo rasseyaniya i EPS sT = (8p/3)(e2/mes2)2 6,65.10-2sm2 ne zavisit ot chastoty. Differencial'noe EPS rasseyaniya na ugol q:
,
a diagramma rasseyaniya simmetrichna otnositel'no ploskosti q = 90.
Ris. 1. Diagramma rasseyaniya fotonov na |
V obshem sluchae komptonovskogo rasseyaniya EPS opisyvaetsya f-loi Kleina - Nishiny - Tamma. Pri rasseyanii fotonov na pokoyashemsya elektrone EPS zavisit ot parametra y = hv/mec2. S uvelicheniem v diagramma rasseyaniya teryaet simmetriyu i vytyagivaetsya vpered (ris. 1). Pri y << 1 sechenie stremitsya k tomsonovskomu predelu:
a pri y >> 1 ono umen'shaetsya po zakonu:
Komptonovskoe rasseyanie igraet vazhnuyu rol' v formirovanii izlucheniya kosmich. rentg. i g-istochnikov. Pri etom chasto okazyvaetsya sushestvennym process, kogda v rezul'tate rasseyaniya na elektronah energiya fotonov uvelichivaetsya. Ego naz. obratnym komptonovskim rasseyaniem. Schitaetsya, chto obratnoe komptonovskoe rasseyanie submillimetrovogo i radioizlucheniya na relyativistskih elektronah kosmnch. luchei obespechivaet generaciyu fonovogo g-izlucheniya.
Pogloshenie foto v kulonovskom pole yadra s obrazovaniem elektron-pozitronnyh par proishodit pri uslovii, chto energiya fotonov prevyshaet 2mes2. Rodivshiesya elektron i pozitron priobretayut energiyu, ravnuyu hv - 2mes2. Pri y >> 2 sechenie etogo processa:
gde a = 1/137 - postoyannaya tonkoi struktury. Pri hv >> e*(Z) = mec2/aZ1/3 kulonovskoe pole yadra ekraniruetsya elektronami i v privedennom vyrazhenii dlya EPS velichinu v skobkah sleduet zamenit' na
Ris. 2. Koefficient oslableniya na edinicu
massy |
Fotoionizaciya, komptononskoe rasseyanie i obrazovanie par yavl.osn. processami vzaimodeistviya rentgenovskih i g-fotonov s veshestvom. Na ris. 2 privedena zavisimost' ot energii EPS dlya ksenona, k-ryi chasto ispol'zuetsya v detektorah takogo izlucheniya. Pri hv < e1 osn. processom yavl. fotoeffekt, pri e1 < hv < e2 - komptonovskoe rasseyanie n pri hv > e2 - obrazovanie par. Dlya alyuminiya e1 = 0,05MeV, e2 = 15 MeV, dlya svinca e1 = 0,5 MeV i e2 = 5 MeV. V oblasti nesk. MeV EPS vzaimodeistviya g-luchei s veshestvom imeet minimum.
Pogloshenie fotonov vsledstvie fotovozbuzhdeniya yader ili yadernogo fotoeffekta stanovitsya vazhnym pri dostatochno vysokih energiyah fotonov e = hv . V pervom sluchae velichina hv ravna energii yadernogo perehoda, vo vtorom ona dolzhna prevyshat' nek-roe porogovoe znachenie. Secheniya yadernogo fotoeffekta rastut ot poroga i pri hv imeyut maksimum - gigantskii rezonans. Nizhe privedeny energii maksimuma rezonansa emaks i secheniya sfot (v maksimume rezonansa) dlya nek-ryh yader.
emaks, Mev |
sfot, 10-27 sm2 |
|
7Li | 17,5 | 4,0 |
12C | 22,5 | 8,3 |
16O | 24,2 | 11,4 |
14N | 24,0 | 2,8 |
29Si | 15,0 | 23,0 |
T. o., dlya fotonov s raznymi energiyami harakterny (yavl. osnovnymi) svoi opredelennye processy vzaimodeistviya s veshestvom. Esli pri malyh energiyah fotonov vzaimodeistvie zatragivaet atomy i molekuly v celom, to pri uvelichenii energii stanovyatsya sushestvennymi processy vzaimodeistviya s otdel'nymi chasticami (elektronami, yadrami) i processy rozhdeniya chastic. Obshaya shema, kachestvenno opisyvayushaya rol' togo ili inogo processa, predstavlena na ris. 3.
Ris. 3. Osnovnye processy vzaimodeistviya fotonov ravnyh energii eg (dlin voln l) s veshestvom. |
Lit.:
Beresteckii V. B.,
Lifshic E. M.,
Pitaevskii L. P., Relyativistskaya
kvantovaya teoriya, ch. 1, M., 1968;
Grinberg
M.,
Mezhzvezdnaya pyl', per. s angl., M., 1970;
Zel'dovich
Ya. B.,
Novikov I. D., Relyativistskaya
astrofizika, M., 1987;
Xayakava S., Fizika
kosmicheskih luchei, per. s angl., M., 1973.
(I.G. Mitrofanov)
I. G. Mitrofanov, "Fizika Kosmosa", 1986
Glossarii Astronet.ru